Samsung Electronics, líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció hoy que lanzó la unidad de estado sólido NVMe (SSD) de mayor capacidad de la industria basada en el increíblemente pequeño factor de forma pequeño de próxima generación (NGSFF): un SSD NF1 de 8TB. El nuevo SSD NVMe NF1 8TB ha sido optimizado para análisis intensivos de datos y aplicaciones de virtualización en centros de datos y servidores de próxima generación.
«Al presentar el primer SSD NVMe NF1, Samsung está llevando la eficiencia de la inversión en los centros de datos a nuevas alturas», dijo Sewon Chun, vicepresidente senior de marketing de memoria en Samsung Electronics. «Continuaremos liderando la tendencia hacia la habilitación de centros de datos y sistemas empresariales de densidad ultra alta mediante la entrega de soluciones de almacenamiento con niveles de rendimiento y densidad incomparables».
El nuevo SSD está construido con 16 de los paquetes NAND de Samsung de 512 gigabytes (GB), cada uno apilado en 16 capas de chips V-NAND de 3 bits de 256 gigabits (Gb), logrando una densidad de 8TB en una huella ultrapequeña de 11 cm x 3.05cm. Esto es el doble de la capacidad ofrecida por un SSD NVMe M.2 (11 cm x 2.2 cm) comúnmente utilizado en diseños de servidores de hiper escala y computadoras portátiles ultradelgadas. Se espera que el SSD NF1 reemplace rápida y fácilmente los SSD NVMe convencionales de 2.5 pulgadas al habilitar hasta tres veces la densidad del sistema en la infraestructura del servidor existente, lo que permite un espacio de almacenamiento de 576TB sin precedentes en los últimos servidores en rack 2U.
El NF1 SSD cuenta con un nuevo controlador de alto rendimiento que admite el protocolo NVMe 1.3 y la interfaz PCIe 3.0 x4, brindando velocidades de lectura secuencial de 3100MB/s y velocidades de escritura de 2.000MB/s. Estas velocidades son más de cinco veces y tres veces mayores que las de un SSD SATA SSD típico, respectivamente. Las velocidades aleatorias llegan a 500,000 IOPS para operaciones de lectura y 50,000 IOPS para escrituras. Al utilizar la nueva solución de almacenamiento NF1, un sistema de servidor empresarial puede realizar más de un millón de IOPS en un espacio de 2U de rack, mejorando significativamente el retorno de la inversión para los centros de datos de gran escala de próxima generación. El SSD también incluye una DRAM LPDDR4 de 12 GB para permitir un procesamiento de datos más rápido y con mayor eficiencia energética.
Para garantizar la fiabilidad de los datos a largo plazo, el SSD NVMe NF1 se ha diseñado con un nivel de resistencia de 1.3 unidades de escritura por día (DWPD), que garantiza escribir 8 TB completos de datos 1.3 veces al día durante su período de garantía de tres años.
Samsung planea acompañar a su SSD basado en V-NAND de 256GB y 3 bits con una versión de 512Gb en la segunda mitad de este año para acomodar un procesamiento aún más rápido para aplicaciones de big data, mientras acelera el crecimiento en la próxima generación de empresas y medianas empresas centros de datos.
